삼성전자, 평택에 HBM4 핵심 ‘1c D램’ 라인 추가...공급난 돌파

 

삼성전자가 평택캠퍼스 4공장에 신규 D램 라인을 설치, 차세대 고대역폭메모리(HBM) 생산능력 확충에 나선다.

 

5일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 내년 1분기까지 경기도 평택캠퍼스 'P4'에 10나노 6세대(1c) D램 생산 라인을 새로이 구축하겠다는 내부 전략을 세운 것으로 전해졌다. 해당 라인에서는 월 10만∼12만장의 웨이퍼를 생산할 수 있는 것으로 알려졌다.

 

1c D램은 HBM4에 탑재되는 최선단 D램으로, HBM4에는 총 12개의 1c D램이 탑재된다. 삼성전자는 올해 엔비디아, AMD 등 글로벌 빅테크를 대상으로 HBM4를 공급할 계획이며 이달 중 양산 공급을 앞두고 있다.

 

이번 투자는 D램을 필두로 메모리 가격이 천정부지로 오르는 가운데 빠르게 캐파를 늘려, 증가하는 수요에 대응하는 전략으로 해석된다.

 

현재 삼성전자의 D램 생산 능력은 웨이퍼 투입량을 기준으로 월 66만 장 수준인 것으로 알려졌다. 이번 생산 라인 증설이 완료될 경우, 1년 만에 최대 18%의 D램 캐파를 확대하는 셈이다.

 

삼성전자는 앞서 작년 4분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 "올해 캐펙스(설비투자)는 전년 대비 상당 수준 증가할 계획"이라며 "선제적인 투자를 통해 신규 팹 및 클린룸 선행을 확보했기에 해당 공간을 활용하기 위한 설비투자가 증가할 예정"이라고 밝혔다.

 

이어 "고성능 고용량 제품 확보가 필수인 AI 응용 시장의 기술적 니즈를 실현하기 위해 올해 D램은 1c 나노, 낸드는 V9을 중심으로 선단 공정 캐파 확보를 가속해 나갈 예정"이라고 설명한 바 있다.