삼성전자 EUV(극자외선) 기술 기반으로 5나노 공정 개발에 성공
삼성전자 EUV(극자외선) 기술 기반으로 5나노 공정 개발에 성공
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화성캠퍼스 EUV 라인 조감도

삼성전자가 EUV(극자외선) 기술을 기반으로 ‘5나노 공정’ 개발에 성공했다.

16일 삼성전자에 따르면 이번에 개발한 차세대 ‘5나노 공정’은 셀 설계 최적화를 통해 기존 7나노 공정 대비 로직 면적을 25% 줄일 수 있으며, 20% 향상된 전력 효율 또는 10% 향상된 성능을 제공한다.

특히 7나노 공정에 적용된 설계 자산(IP)을 활용할 수 있어 기존 7나노 공정을 사용하는 고객은 5나노 공정의 설계 비용을 줄일 수 있다.

나노 공정은 회로 폭을 100㎚ 이하로 줄여 반도체를 만드는 공정을 말한다. 5나노 공정은 반도체 소자에 들어가는 회로 선폭이 5㎚급(머리카락 굵기의 2만 4천 분의 1 수준)임을 의미한다. 나노 공정이 미세해질수록 칩 크기를 줄일 수 있고 전력 효율도 높일 수 있다. 이와 함께 칩이 작아져 웨이퍼당 생산량이 증가하고 원가 경쟁력도 높아진다.

삼성전자는 첨단 초미세 공정 파운드리 생산의 핵심 기술을 확보함에 따라 국내 시스템 반도체 생태계를 강화하는 동시에 시스템 반도체 역량도 높아지는 효과가 있을 것으로 기대하고 있다.

파운드리 사업은 반도체 장비, 소재, 디자인, 패키징, 테스트 등 다양한 전문 업체들이 함께 성장해야 하기 때문 전후방 연관 효과가 크다.

삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 배영창 부사장은 “삼성전자의 EUV 기반 최첨단 공정은 성능과 IP 등에서 다양한 강점이 있어 5G, AI, 전장 등 신규 응용처를 중심으로 높은 수요가 예상된다”며 “향후에도 첨단 공정 솔루션으로 미래 시스템 반도체 산업을 이끌어 나갈 것”이라고 말했다.

권혁준기자


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