삼성, 0.13미크론 8Mb 저전력형 S램 개발
삼성, 0.13미크론 8Mb 저전력형 S램 개발
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삼성전자는 0.13미크론(단위 ㎛, 100만분의 1미터)급 초미세 공정기술을 적용한 IMT-2000 및 차세대 휴대전화용 8Mb(메가비트) 저전력형 S램을 세계 최초로 개발했다고 19일 밝혔다.



이번에 개발된 저전력 S램은 1㎂(마이크로 암페어) 이하의 저소비전류와 2.5V에서 55ns(10억분의 1초)의 고속 데이터 처리능력을 동시에 갖고 있어 인터넷 접속과 동영상 전송 등 대용량 데이터 처리를 요구하는 IMT-2000 휴대전화에 적합하다고 삼성전자는 밝혔다.



삼성전자는 특히 기존 제품보다 크기를 30% 가량 축소시키고 생산성이 50% 가량 향상된 0.13미크론급 8Mb S램을 내년 초부터 본격적인 양산에 들어갈 계획이다.



이번 8Mb S램에 적용된 0.13미크론 급 공정기술은 타 경쟁사에 비해 최소 6개월 이상 앞선 것으로 원가 경쟁력을 대폭 향상시키게 됐으며 제품 주기가 짧은 반도체 산업의 특성상 제품시장을 선점할 수 있게 됐다.



이에따라 삼성전자는 올해 S램에서 23억달러의 매출과 세계시장 점유율 30%를 목표로 하고 있다.



삼성전자 관계자는 “이번 0.13미크론급 초미세 공정기술 적용을 시작으로 내년에 0.10미크론, 2003년에 0.08미크론급 S램 제품을 개발할 계획”이라며 “이로써 경쟁업체와의 격차가 더욱 벌어질 전망”이라고 말했다. /용인=강한수기자 hskang@kgib.co.kr


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