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삼성전자, 초저전력SD램 본격 양산

승인 2001-03-15 00:00
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삼성전자는 차세대 휴대기기용 고부가가치제품인 초 저전력 SD램을 출시하고 상반기부터 본격적인 양산에 돌입한다고 14일 밝혔다.

삼성전자가 이번에 샘플로 출시한 제품은 회로선폭 0.15㎛의 초미세 가공공정을 적용한 64메가·128메가·256메가급 초 저전력 SD램으로 2.5V의 저전압에서 동작해 전력소모량을 3분의1 이상 줄이도록 설계된 것이 특징이다.

앞으로 이 제품은 IMT-2000과 노트 PC, DVDP(디지털 비디오디스크 플레이어), PDA(개인휴대단말기), 디지털카메라 등 차세대 휴대기에 주로 사용된다.

또한 초소형 패키지기술인 CSP(Chip Scale Package)를 적용해 제품 크기를 4분의1로 축소해 인체와 환경에 유해한 납을 사용하지 않은 것도 이 제품의 장점이다.

삼성전자 관계자는 “세계 각국의 메모리 업체가 시장선점을 위한 경쟁이 본격화되고 있는 상황에서 업계 처음으로 저전력 SD램 제품을 출시해 초기시장을 선점할 수 있게 됐다”면서 “이 제품으로 내년 휴대기기용 SD램 반도체 시장에서 50% 이상의 점유를 목표로 하고 있다”고 말했다. /용인=강한수기자 hskang@kgib.co.kr

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