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하이닉스 반도체, 올해 투자 규모 대폭 늘린다

승인 2010-05-31 11:41
노컷뉴스 webmaster@ekgib.com
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3조5천억원 투자, 40나노급 제품비중 연말까지 50% 수준으로 확대

하이닉스반도체는 "올해 3조500억원을 투자한다"고 31일 밝혔다. 이는 당초 계획된 투자 규모인 2조3천억원보다 7천500억원(32.6%) 늘어난 것이다.

 

하이닉스는 이번 투자를 통해 40나노급 D램 공정전환을 가속화해 약 15% 수준인 40나노급 제품 비중을 연말까지 50% 수준으로 확대할 계획이다.

 

40나노급 D램은 50나노급에 비해 생산성이 50% 이상 높아 원가 경쟁력이 강화될 것으로 하이닉스는 예상하고 있다.

 

하이닉스는 이를 바탕으로 DDR3 같은 고부가가치 반도체 제품을 수요자들에 적기에 공급해 수익성을 높일 계획이다.

 

하이닉스는 "꾸준한 수요를 바탕으로 최근 메모리 반도체시장 환경이 변화되고 있다"며 "서버, 그래픽, 모바일 등 고부가가치 제품에 대한 고객 요구에 적극 대응하기 위해 투자를 확대하게 됐다"고 밝혔다.

 

또 "차세대 제품 개발을 위한 연구개발 투자도 늘려 기술경쟁력을 강화하려는 목적도 있다"고 설명했다.

 

하이닉스는 "지난 28일 이사회에서 투자 확대 방침을 정했다"며 "투자를 늘려 미세공정전환 속도를 높이고, 차세대 제품 개발 역량을 강화해 경쟁업체와의 원가 및 기술 경쟁력 격차를 넓히겠다"고 밝혔다.

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