경기일보로고
경제 IT
search
공유 close
글자크기 설정 close

삼성전자, 세계 최초 ‘10나노급 D램시대’ 열어…20나노 비해 속도ㆍ생산성 30%↑, 전력 20%↓

승인 2016-04-05 12:21
허행윤 기자 heohy@kyeonggi.com
기자페이지

p1.jpg
▲ 사진=삼성전자 세계 최초, 연합뉴스
삼성전자 세계 최초.

삼성전자가 지난 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급(㎚, 1㎚: 10억분의 1ｍ) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산하는 등 세계 최초로 반도체 미세 기술의 한계로 여겨지던 ‘10나노급 D램 시대’를 열었다고 5일 밝혔다.

지난 2014년 당시 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 뒤 이번 10나노급 8Gb DDR4 D램의 양산으로 다시 한번 메모리 기술의 이정표를 수립한 것이다.

이번 제품에는 ‘초고집적 설계 기술’과 ‘사중 포토 노광 기술(Quadruple Patterning Technique)’, ‘초균일 유전막 형성 기술’ 등 3가지 혁신 기술들이 적용됐다.

이에 따라 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 도입하지 않아도 10나노급 D램을 양산, 제조 경쟁력을 더욱 높일 수 있다.

초고집적 설계 기술은 삼성전자가 독자적으로 개발한 차세대 반도체 설계 기술로 20나노 8Gb DDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 높였다.

10나노급 8Gb DDR4 D램은 초고속·초절전 설계 기술을 적용, 기존 20나노 대비 동작 속도가 30% 이상 빠른 3천200Mbps를 구현할 수 있고, 동작 상태에 따라 소비전력을 10∼20% 절약할 수 있다.

삼성전자는 이같은 D램 공정의 한계를 사중 포토 노광기술로 극복, 차세대 10나노급(1y) D램도 적기에 양산할 수 있는 기반 기술도 확보했다.

삼성전자는 올해 10나노급 모바일 D램도 양산,  PC·서버 시장에 이어 초고해상도 스마트폰 시장도 계속 선점할 계획이다.

허행윤기자

© 경기일보(www.kyeonggi.com), 무단전재 및 수집, 재배포금지
댓글 댓글 운영규정
최신순 추천순