삼성전자, 업계 최초 36GB HBM3E 12H D램 개발

 

삼성전자가 업계 최초 36GB HBM3E 12H D램 개발에 성공했다.

 

삼성전자는 실리콘 관통 전극(TSV) 기술을 통해 24Gb D램 칩을 12단까지 적층해 36GB HBM3E 12H를 구현했다.

 

TSV는 수천 개 미세구멍을 뚫은 D램 칩을 수직으로 쌓아 침 사이를 전극으로 연결하는 기술이다.

 

HBM3E 12H는 전작인 HBM3 8H 대비 50% 이상 개선된 제품으로, 초당 최대 1,280GB의 대역폭과 36GB 용량을 제공한다.

 

삼성전자는 ‘Advanced TC NCF(열압착 비전도성 접착 필름)’ 기술로 12H를 8H와 동일한 높이로 구현해 HBM 패키지 규격을 충족시켰다.

 

해당 기술은 적층수 증가 및 칩 두께가 얇아짐에 따라 발생할 수 있는 휘어짐 현상을 최소화할 수 있어 고단 적층 확장에 용이하다.

 

삼성전자는 신제품이 AI 서비스 고도화로 데이터 처리량이 급증한 AI 업계뿐만 아니라 기업의 리소스 관리에 유연성을 제공할 것으로 기대하고 있다.

 

삼성전자는 고객사에 샘플을 제공하는 한편 상반기 내 양산에 돌입할 계획이다.

 

배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장(부사장)은 “삼성전자는 AI 서비스를 제공하는 고객사의 고용량 설루션 니즈에 부합하는 혁신 제품 개발에 힘쓰고 있다”며 “앞으로 HBM 고단 적층을 위한 기술 개발에 주력하는 등 고용량 HBM 시장을 선도하고 개척해 나가겠다”고 말했다.